AI요약

기존 단결정 실리콘-그래핀 터널링 다이오드는 밴드갭 에너지 제어가 어렵고 이상 계수가 높아 성능 구현에 한계가 있었습니다. 본 기술은 그래핀-실리콘 양자점 하이브리드 구조를 활용하여 이러한 문제를 해결합니다. 실리콘 양자점의 크기와 그래핀의 도핑 농도를 정밀하게 제어함으로써 다이오드의 성능과 전기적 특성을 크게 향상시킵니다. 특히 AuCl3 도핑 농도 및 실리콘 양자점 크기 조절을 통해 이상 계수가 1에서 2 사이인 이상적인 다이오드 특성을 구현할 수 있습니다. 이를 통해 광전자 장치 등에 활용될 수 있는 고성능 터널링 다이오드를 제공합니다.