AI요약

기존 광검출기는 제한된 광검출 대역과 낮은 광반응도로 열 발생 및 소자 수명 단축 문제가 있었습니다. 본 기술은 그래핀-실리콘 양자점 하이브리드 구조를 활용한 포토다이오드 및 제조 방법을 제안합니다. 실리콘 양자점의 크기와 그래핀의 도핑 농도를 정밀하게 제어하여 광학 및 전기적 특성을 획기적으로 개선합니다. SiO2와 SiOx 박막을 교번 적층하고 열처리하여 실리콘 양자점을 형성하며, 화학 기상 증착(CVD) 방식으로 제조된 그래핀을 전사한 후 AuCl3 도핑 및 어닐링을 통해 성능을 최적화합니다. 이 기술은 자외선부터 근적외선까지 넓은 광검출 대역을 가지며, 높은 광반응도와 검출능을 저전압에서 구현합니다. 또한 대면적 제조가 용이하여 차세대 광전자 소자 상용화에 크게 기여할 것입니다.