AI요약

기존 광검출기는 제한된 감지 대역, 냉각 필요, 유연/투명 기판 적용의 어려움과 복잡한 제조 공정의 한계가 있었습니다. 특히 그래핀 p-n 접합은 높은 암전류 문제로 고성능 광검출기 적용이 어려웠습니다. 본 기술은 p형 및 n형 그래핀의 수직 터널링 접합을 활용하여 이러한 문제를 해결합니다. 도핑 농도를 정밀하게 조절하여 안정적인 p-n 수직 접합 다이오드를 형성하며, 경우에 따라 반도체 또는 절연 삽입층을 적용하여 성능을 더욱 향상시킵니다. 이 광검출기는 UV에서 IR에 이르는 350nm에서 1100nm의 넓은 파장 대역에서 10E11 Jones 이상의 높은 감지 능력과 100% 이상의 양자 효율을 달성합니다. 상온에서도 안정적으로 작동하며, 빠르고 일정한 광응답 특성을 보입니다. 유연하고 투명한 기판에도 적용 가능하며, 간단하고 저렴한 공정으로 차세대 고성능 광검출기 상용화에 크게 기여할 것입니다.