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손종역 교수팀, 나노 HZO로 강유전체 스위칭 한계 규명, 차세대 메모리 설계 기반 마련.
2025.10.20

경희대학교 응용물리학과 손종역 교수 연구팀이 나노스케일 강유전체 소자의 '스케일링 한계' 문제 해결을 위한 핵심 연구 결과를 발표하였습니다. 연구팀은 하프늄-지르코늄 산화물(HZO) 나노점을 활용하여 강유전체의 분극 스위칭을 정밀 분석하고, 크기와 두께에 따른 전기적 한계를 정량적으로 규명하였습니다. 나노구조에서의 전하 경계 효과와 분극 안정성의 상관관계를 밝혀내었으며, 초고속 압전 응답 현미경을 통해 도메인 벽 이동 속도를 측정하여 고집적·저전력 메모리 설계에 필요한 핵심 지표를 확보했습니다. 본 연구는 차세대 고집적 비휘발성 메모리 및 에너지 효율형 로직 소자 설계의 기초 자료가 될 것으로 기대됩니다.

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